RJ1L12CGNTLL
Rohm Semiconductor
Deutsch
Artikelnummer: | RJ1L12CGNTLL |
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Hersteller / Marke: | LAPIS Technology |
Teil der Beschreibung.: | NCH 60V 120A POWER MOSFET: RJ1L1 |
Datenblätte: | None |
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $6.27 |
10+ | $5.628 |
100+ | $4.611 |
500+ | $3.9252 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 200µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | TO-263AB |
Serie | - |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.4mOhm @ 50A, 10V |
Verlustleistung (max) | 166W (Ta) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 7100 pF @ 30 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 139 nC @ 10 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 60 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 120A (Ta) |
Grundproduktnummer | RJ1L12 |
RES 0.005 OHM 1% 1W 1206 WIDE
RES 0.02 OHM 1% 1W 1206 WIDE
Solid State Relays - Industrial
SSR H/S PS 600V 50A 0-10V E
NCH 60V 120A POWER MOSFET : RJ1L
Solid State Relays - Industrial
MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
SSR H/S PS 480V 30A 0-10V E
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
MOSFET N-CH 40V 80A LPTL
RES 10M OHM 1% 1W 1206 WIDE
RES 50M OHM 1% 3/4W 1206 WIDE
RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V
MOSFET N-CH 60V 80A LPTL
SSR H/S PS 600V 30A 4-20MA E
RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 120V
RELAY GEN PURPOSE SPDT 12A 24V
SSR H/S PS 600V 30A 0-10V E
SSR RJ 600V 70A U (POWER)
2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() RJ1L12CGNTLLRohm Semiconductor |
Anzahl*
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Zielpreis (USD)
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